Physics · Semiconductor Devices

T = 300 K पर, 1 mA की अग्रदिशिक डायोड धारा (forward diode current) के लिए, एक जर्मेनियम डायोड को 0.1435 V के अग्रदिशिक अभिनति (forward bias) की आवश्यकता होती है, जबकि एक सिलिकॉन डायोड को 0.718 V की अग्रदिशिक अभिनति की आवश्यकता होती है। इन परिस्थितियों में, जर्मेनियम के लिए आदर्शता कारक (ideality factor) η = 1 और सिलिकॉन के लिए η = 2 मानते हुए, जर्मेनियम डायोड की उत्क्रम संतृप्ति धारा (reverse saturation current) का सिलिकॉन डायोड की उत्क्रम संतृप्ति धारा से अनुपात का निकटतम अनुमान क्या है?