Physics · Semiconductor Devices
P-N जंक्शन डायोड के अंतर्निहित विभव (built-in potential) के बारे में कौन सा कथन असत्य है?
- 1अंतर्निहित विभव उपयोग की गई सामग्री, डोपिंग सांद्रता और तापमान पर निर्भर करता है।
- 2P-N जंक्शन अंतर्निहित विभव से कम वोल्टेज पर भी महत्वपूर्ण अग्र धारा (forward current) प्रवाह की अनुमति देता है।✓
- 3सिलिकॉन के लिए अंतर्निहित विभव लगभग 0.7 V और जर्मेनियम के लिए 0.3 V होता है।
- 4अंतर्निहित विभव को बैरियर विभव (barrier potential) या संपर्क विभवांतर भी कहा जाता है।
सही उत्तर देखें
P-N जंक्शन अंतर्निहित विभव से कम वोल्टेज पर भी महत्वपूर्ण अग्र धारा (forward current) प्रवाह की अनुमति देता है।
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