Physics · Semiconductor Devices
एक पश्च-अभिनत (reverse-biased) p-n जंक्शन डायोड में एवालांश ब्रेकडाउन (Avalanche breakdown) मुख्य रूप से निम्नलिखित में से किस परिघटना के कारण होता है?
- 1कम अवरोधक विभव ऊंचाई
- 2केवल तापीय उत्पादन
- 3उच्च वेग वाले वाहकों के कारण संघट्ट आयनीकरण (Impact ionization)✓
- 4इलेक्ट्रॉनों का प्रत्यक्ष क्षेत्र उत्सर्जन
सही उत्तर देखें
उच्च वेग वाले वाहकों के कारण संघट्ट आयनीकरण (Impact ionization)
Download Single Question PDF
Save this question and verified answer as a clean study sheet with live clickable link.
Share with Friends & Study Groups
Challenge your peer aspirants on WhatsApp or Telegram to solve this question!
Preparing for Physics?
Practice full-length mock tests with real exam timers, instant score analysis, and all-India ranking.
Want more practice questions on Semiconductor Devices?
Solve complete topic-wise tests with detailed solutions on GkGet.
Related Practice Questions
Recommended practice questions in Physics · Semiconductor Devices