Physics · Semiconductor Devices
अर्धचालक ऊर्जा बैंड के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?
Verified Solution4 OptionsUpdated: October 2026👁️1 View
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- 1P-प्रकार के अर्धचालक में, ग्राही ऊर्जा स्तर त्रिसंयोजक अपमिश्रक के कारण बनता है और यह संयोजकता बैंड (valence band) के ठीक ऊपर स्थित होता है।✓
- 2N-प्रकार के अर्धचालक में, ग्राही ऊर्जा स्तर (acceptor energy level) पंचसंयोजक अपमिश्रक के कारण बनता है और यह चालन बैंड के ठीक ऊपर स्थित होता है।
- 3P-प्रकार के अर्धचालक में, दाता ऊर्जा स्तर पंचसंयोजक (pentavalent) अपमिश्रक के कारण बनता है और यह चालन बैंड के ठीक नीचे स्थित होता है।
- 4N-प्रकार के अर्धचालक में, दाता ऊर्जा स्तर (donor energy level) त्रिसंयोजक (trivalent) अपमिश्रक के कारण बनता है और यह संयोजकता बैंड के ठीक नीचे स्थित होता है।
सही उत्तर देखें
P-प्रकार के अर्धचालक में, ग्राही ऊर्जा स्तर त्रिसंयोजक अपमिश्रक के कारण बनता है और यह संयोजकता बैंड (valence band) के ठीक ऊपर स्थित होता है।
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