Physics · Semiconductors
N-चैनल एन्हांसमेंट MOSFET के लिए निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प गलत है?
Verified Solution4 OptionsUpdated: October 2026👁️1 View
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- 1धनात्मक VGS लगाने पर एक संवाहक चैनल बनता है
- 2यदि p-प्रकार के सबस्ट्रेट की डोपिंग कम हो जाती है, तो थ्रेशोल्ड वोल्टेज कम हो जाता है
- 3इसमें पहले से मौजूद कोई चैनल नहीं होता है
- 4यदि गेट ऑक्साइड परत की मोटाई महत्वपूर्ण रूप से बढ़ती है, तो गेट धारिता (capacitance) बढ़ जाती है✓
सही उत्तर देखें
यदि गेट ऑक्साइड परत की मोटाई महत्वपूर्ण रूप से बढ़ती है, तो गेट धारिता (capacitance) बढ़ जाती है
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