Electronics Engineering · Semiconductor Devices
एक MOS कैपेसिटर में, थ्रेशोल्ड वोल्टेज को उस गेट वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस पर:
Verified Solution4 OptionsUpdated: October 2026👁️1 View
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- 1सेमीकंडक्टर की सतह पर बहुसंख्यक वाहकों का अधिकतम संचय (accumulation) होता है।
- 2सेमीकंडक्टर में वाहकों का अधिकतम रिक्तीकरण (depletion) होता है।
- 3सतह का विभव (surface potential) बल्क फर्मी विभव का दोगुना हो जाता है, जिससे तीव्र व्युत्क्रमण (strong inversion) शुरू होता है।✓
- 4सेमीकंडक्टर में कोई नेट चार्ज नहीं होता है, और बैंड फ्लैट होते हैं।
सही उत्तर देखें
सतह का विभव (surface potential) बल्क फर्मी विभव का दोगुना हो जाता है, जिससे तीव्र व्युत्क्रमण (strong inversion) शुरू होता है।
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