Physics · Semiconductor Electronics
अग्र अभिनति (forward bias) में, p-n संधि डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई:
- 1केवल ब्रेकडाउन वोल्टेज तक पहुँचने के बाद घटती है
- 2प्रयुक्त वोल्टेज से स्वतंत्र होती है
- 3अग्र वोल्टेज में वृद्धि के साथ बढ़ती है
- 4अग्र वोल्टेज में वृद्धि के साथ घटती है✓
सही उत्तर देखें
अग्र वोल्टेज में वृद्धि के साथ घटती है
Download Single Question PDF
Save this question and verified answer as a clean study sheet with live clickable link.
Share with Friends & Study Groups
Challenge your peer aspirants on WhatsApp or Telegram to solve this question!
Preparing for Physics?
Practice full-length mock tests with real exam timers, instant score analysis, and all-India ranking.
Want more practice questions on Semiconductor Electronics?
Solve complete topic-wise tests with detailed solutions on GkGet.
Related Practice Questions
Recommended practice questions in Physics · Semiconductor Electronics