3 eV के बैंड गैप वाले अर्धचालक पदार्थ का उपयोग करके एक फोटोडिटेक्टर बनाया गया है। यह प्रकाश की जिस अधिकतम तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है, वह किसके सबसे करीब है?

Two statements are given below: Statement A: When the forward bias voltage across a p-n junction diode increases above a certain threshold voltage, the diode current increases significantly. Statement B: This current is called reverse saturation current. Choose the correct answer:

When an electric field is applied across a semiconductor, which of the following statements is correct?